Opis

Parametry techniczne

Opis produktu

Atrapa płytki SiC to wysokiej jakości produkt, który znajduje szerokie zastosowanie w przemyśle półprzewodników. Jest to płytka z węglika krzemu zaprojektowana specjalnie do testowania i debugowania urządzeń półprzewodnikowych. Atrapa płytki SiC jest ważnym narzędziem dla producentów półprzewodników, ponieważ pomaga im zapewnić jakość i integralność ich produktów.

Jedną z kluczowych zalet płytki obojętnej SiC jest jej wysoka czystość i jednorodność. Dzięki temu zapewnia dokładne i wiarygodne wyniki podczas testowania i debugowania urządzeń półprzewodnikowych. Płytka jest również bardzo trwała i odporna na uszkodzenia, co czyni ją idealnym wyborem do stosowania w trudnych warunkach pracy.

Kolejną zaletą atrapy płytki SiC jest jej wszechstronność. Można go stosować w szerokim zakresie zastosowań półprzewodników, w tym w urządzeniach zasilających, urządzeniach RF i optoelektronice. Dzięki temu jest to cenne narzędzie dla producentów półprzewodników, którzy muszą testować różnorodne urządzenia.

4H TYP N SiC 100MM, 350SPECYFIKACJA PŁYTKA µm
Numer artykułu	W4H100N-4-PO (lub CO)-350
Opis	Podłoże 4H SiC
Polityp	4H
Średnica	(100+0.0-0.5) mm
Grubość	(350±25) μm (klasa inżynieryjna ±50μm)
Typ przewoźnika	typu n
Domieszka	Azot
Rezystywność (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (klasa inżynierska<0.025Ω▪cm)
Orientacja wafla	(4+0.5) stopnia
	Stopień inżynierski	Stopień produkcyjny	Stopień produkcyjny
	2.1	2.2	2.3
Gęstość mikrorurki	Mniejsze lub równe 30 cm-²	Mniejsze lub równe 10 cm-²	Mniejsza lub równa 1 cm-²
Obszar wolny od mikrorur	Nieokreślony	Większy lub równy 96%	Większy lub równy 96%
Orientacja płaska (OF)
Orientacja	Równolegle {1-100} ±5 stopni
Orientacyjna długość płaska	(32,5±2,0) mm
mieszkanie identyfikacyjne (IF)
Orientacja	Si-face: 90 stopni cw, od orientacji płaskiej ± 5 stopni
identyfikacja długości płaskiej	(18,0+2.0) mm
Powierzchnia	Opcja 1: Standardowa polerka Si-face. Poler optyczny C-face gotowy na Epi
	Opcja 2: Si-face CMP Epi-ready, polerowanie optyczne C-face
Pakiet	Pudełko wysyłkowe z wieloma opłatkami (25).
	(Pojedynczy pakiet wafli na życzenie)

SPECYFIKACJA PŁYTKA 6H TYPU N, 2"
Numer artykułu	W6H51N-0-PM-250-S
Opis	Podłoże SiC klasy produkcyjnej 6H
Polityp	6H
Średnica	(50,8 ± 38) mm
Grubość	(250% C2% B125) um
Typ przewoźnika	typu n
Domieszka	Azot
Rezystywność (RT)	0.06-0.10Ω▪CM
Orientacja wafla	(0+0.5) stopnia
Gęstość mikrorurki	Mniejsze lub równe 100 cm-²
Orientacja orientacja płaska	Równolegle {1-100} ±5 stopni
Orientacyjna długość płaska	(15,88±1,65) mm
Identyfikacja orientacji płaskiej	Si-face: 90 stopni cw. orientacja czoła płaska ± 5 stopni
identyfikacja długości płaskiej	(8+1,65) mm
Powierzchnia	Standardowy lakier Si-face Epi-ready
Powierzchnia	Twarz C zmatowiona
Pakiet	Zapakuj pojedynczy pakiet wafli lub wiele pudełek wysyłkowych wafli

Zdjęcie produktu

SiC GaN Wafer

Dlaczego właśnie my

Nasze produkty pochodzą wyłącznie od pięciu największych producentów na świecie i wiodących fabryk krajowych. Wspierane przez wysoko wykwalifikowane krajowe i międzynarodowe zespoły techniczne oraz rygorystyczne środki kontroli jakości.

Naszym celem jest zapewnienie klientom kompleksowego, indywidualnego wsparcia, zapewniając sprawne kanały komunikacji, które są profesjonalne, terminowe i skuteczne. Oferujemy niską minimalną ilość zamówienia i gwarantujemy szybką dostawę w ciągu 24 godzin.

Pokaz fabryczny

Nasz szeroki asortyment obejmuje produkty 1000+, dzięki czemu klienci mogą składać zamówienia już na jedną sztukę. Nasze własne urządzenia do krojenia w kostkę i mielenia oraz pełna współpraca w globalnym łańcuchu przemysłowym umożliwiają nam szybką wysyłkę, aby zapewnić klientowi kompleksową satysfakcję i wygodę.

Nasz certyfikat

Nasza firma jest dumna z różnych uzyskanych certyfikatów, w tym z certyfikatu patentowego, certyfikatu ISO9001 i certyfikatu National High-Tech Enterprise. Certyfikaty te odzwierciedlają nasze zaangażowanie w innowacje, zarządzanie jakością i dążenie do doskonałości.

Popularne Tagi: sic obojętne wafle, Chiny sic producenci, dostawcy, fabryka obojętne wafle