Opis

Parametry techniczne

Opis produktu

Płytka epi SiC to wysokiej jakości i zaawansowany produkt półprzewodnikowy dostępny na rynku. Jest to rodzaj płytki epitaksjalnej z węglika krzemu, która zapewnia doskonałą wydajność w różnych zastosowaniach elektronicznych i optycznych. Płytka epi SiC jest wytwarzana przy użyciu zaawansowanych technik wzrostu kryształów, co pozwala uzyskać wysokiej jakości materiał o doskonałych właściwościach.

Jedną ze znaczących zalet płytek epi SiC jest wysokie napięcie przebicia, co czyni go idealnym wyborem do zastosowań wymagających dużej mocy i wysokich temperatur. Jest również wysoce odporny na naprężenia termiczne i mechaniczne, co zapewnia stabilność i trwałość nawet w trudnych warunkach. Jego doskonałe właściwości przewodzenia ciepła umożliwiają efektywne odprowadzanie ciepła, zmniejszając ryzyko uszkodzenia elementów elektronicznych przez ciepło.

Płytka epi SiC jest szeroko stosowana w różnych urządzeniach elektronicznych i optoelektronicznych, w tym w elektronice mocy, oświetleniu i czujnikach. Zapewnia doskonałą wydajność i niezawodność, nawet w wymagających zastosowaniach wymagających wysokiej temperatury i dużej mocy. Co więcej, jest to ekologiczna i zrównoważona alternatywa dla tradycyjnych materiałów na bazie krzemu, co czyni go idealnym wyborem dla konsumentów dbających o środowisko.

4H TYP N SiC 100MM, 350SPECYFIKACJA PŁYTKA μm
Numer artykułu	W4H100N-4-PO (lub CO)-350
Opis	Podłoże 4H SiC
Polityp	4H
Średnica	(100+0.0-0.5) mm
Grubość	(350±25) μm (klasa inżynieryjna ±50μm)
Typ przewoźnika	typu n
Domieszka	Azot
Rezystywność (RT)	0.012-0.025Ω▪cm (klasa inżynierska<0.025Ω▪cm)
Orientacja wafla	(4+0.5) stopnia
	Stopień inżynierski	Stopień produkcyjny	Stopień produkcyjny
	2.1	2.2	2.3
Gęstość mikrorurki	Mniejsze lub równe 30 cm-²	Mniejsze lub równe 10 cm-²	Mniejsze lub równe 1 cm-²
Obszar wolny od mikrorur	Nieokreślony	Większy lub równy 96%	Większy lub równy 96%
Orientacja płaska (OF)
Orientacja	Równolegle {1-100} ±5 stopni
Orientacyjna długość płaska	(32,5±2,0) mm
mieszkanie identyfikacyjne (IF)
Orientacja	Si-face: 90 stopni cw, od orientacji płaskiej ± 5 stopni
identyfikacja długości płaskiej	(18,0+2.0) mm
Powierzchnia	Opcja 1: Standardowa polerka Si-face. Poler optyczny C-face gotowy na Epi
	Opcja 2: Si-face CMP Epi-ready, poler optyczny C-face
Pakiet	Pudełko wysyłkowe z wieloma opłatkami (25).
	(Pojedynczy pakiet wafli na zamówienie)

SPECYFIKACJA PŁYTKA 6H TYPU N, 2-CALOWE
Numer artykułu	W6H51N-0-PM-250-S
Opis	Podłoże SiC klasy produkcyjnej 6H
Polityp	6H
Średnica	(50,8 ± 38) mm
Grubość	(250% C2% B125) um
Typ przewoźnika	typu n
Domieszka	Azot
Rezystywność (RT)	0.06-0.10Ω▪CM
Orientacja wafla	(0+0.5) stopnia
Gęstość mikrorurki	Mniejsze lub równe 100 cm-²
Orientacja orientacja płaska	Równolegle {1-100} ±5 stopni
Orientacyjna długość płaska	(15,88±1,65) mm
Identyfikacja orientacji płaskiej	Si-face: 90 stopni cw. orientacja czoła płaska ± 5 stopni
identyfikacja długości płaskiej	(8+1,65) mm
Powierzchnia	Standardowy lakier Si-face Epi-ready
Powierzchnia	Twarz C zmatowiona
Pakiet	Zapakuj pojedynczy pakiet wafli lub wiele pudełek wysyłkowych wafli

Zdjęcie produktu

SiC GaN Wafer1

Dlaczego właśnie my

Nasze produkty pochodzą wyłącznie od pięciu największych producentów na świecie i wiodących fabryk krajowych. Wspierane przez wysoko wykwalifikowane krajowe i międzynarodowe zespoły techniczne oraz rygorystyczne środki kontroli jakości.

Naszym celem jest zapewnienie klientom kompleksowego, indywidualnego wsparcia, zapewniając sprawne kanały komunikacji, które są profesjonalne, terminowe i skuteczne. Oferujemy niską minimalną ilość zamówienia i gwarantujemy szybką dostawę w ciągu 24 godzin.

Pokaz fabryczny

Nasz szeroki asortyment obejmuje produkty 1000+, dzięki czemu klienci mogą składać zamówienia już na jedną sztukę. Nasze własne urządzenia do krojenia w kostkę i mielenia oraz pełna współpraca w globalnym łańcuchu przemysłowym umożliwiają nam szybką wysyłkę, aby zapewnić klientowi kompleksową satysfakcję i wygodę.

Nasz certyfikat

Nasza firma jest dumna z różnych uzyskanych certyfikatów, w tym z certyfikatu patentowego, certyfikatu ISO9001 i certyfikatu National High-Tech Enterprise. Certyfikaty te odzwierciedlają nasze zaangażowanie w innowacje, zarządzanie jakością i dążenie do doskonałości.